一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法 CN201310234487.5

本发明公开了一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法，包括以下步骤：（1）对硅片制绒，扩散制PN结，刻蚀清洗，PECVD镀减反射膜；（2）在减反射膜中进行稀土离子注入；（3）注入完成后，将硅片在氮气气氛的高温炉里退火，取出冷却至室温；（4）最后对硅片丝网印刷制电极，烧结形成具有光波转换特性的成品晶硅太阳能电池。本发明在减反射薄膜上利用离子注入技术对其掺杂稀土离子，使其具备光转换特性，提高了晶硅太阳能电池在高能量紫外区域光子利用率，从而提高了电池转换效率；工艺简单易行，能够与现有的电池片制造工序相衔接，不需要对现有设备进行改造，节约成本，离子注入技术容易实现量产，可行性好。
专利类型：发明
专利号：201310234487.5
专利申请日：2013.06.14
公开（公告）日：2014.02.19
申请（专利权）人：横店集团东磁股份有限公司
发明（设计）人：陈金灯;董方;吕绍杰
国别省市：浙江;33