N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201210166816.2

专利类型：发明
专利号：201210166816.2
专利申请日：2012.05.27
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（china）投资有限公司
发明（设计）人：王登志;殷涵玉;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32
本发明公开了一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)制绒；(2)在硅片的正面和背面均设置氧化膜；(3)印刷腐蚀浆料，腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；(4)扩磷；(5)开孔；(6)刻蚀、清洗；(7)扩硼；(8)刻蚀；(9)设置钝化减反射膜；(10)在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。本发明解决了背面通孔方块区域不能掺磷的问题，在太阳能电池背面与导电孔，以及背面方块区电极之间不会形成接触漏电。