锂离子二次电池及其制造方法 CN201210082550.3

专利类型：发明
专利号：201210082550.3
专利申请日：2012.03.16
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.26
分类号：
申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所
发明（设计）人：二村智哉;森若圭惠;川上贵洋;桃纯平;井上信洋
国别省市：日本;JP
锂离子二次电池及其制造方法。本发明的一个方式是一种包括正极、负极以及设置在正极和负极之间的电解质的锂离子二次电池。正极包括正极集电体及正极集电体上的正极活性物质层。正极活性物质层含有多个以通式LiMPO4(M为Fe(II)、Mn(II)、Co(II)、Ni(II)中的一种以上)表示的含锂复合氧化物。含锂复合氧化物为扁状单晶粒，并且扁状单晶粒的b轴方向上的长度比a轴方向及c轴方向上的长度短。此外，含锂复合氧化物以单晶粒的b轴与正极集电体的表面相交的方式设置在正极集电体上。