太阳能电池及其制造方法 CN201080042433.3

本发明涉及包括载体(6)、背电极层(5)、至少一个氢化微晶硅光电器件(9)和上电极层(11)的太阳能电池。背电极层(5)具有粗糙表面。该太阳能电池在背电极层(5)和氢化微晶硅光电器件(9)之间包括不对称中间层(8)，所述中间层(8)邻接所述氢化微晶硅光电器件(9)并在背电极层(5)一侧的表面的粗糙度大于在氢化微晶硅器件(9)一侧的所述中间层(8)的表面粗糙度。这种太阳能电池允许获得最佳Voc和FF参数，同时维持高的电流。
专利类型：发明
专利号：201080042433.3
专利申请日：2010.09.22
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.09.12
分类号：
申请（专利权）人：洛桑联邦理工学院(EPFL)
发明（设计）人：C·巴里夫;F-J·豪格;S·斯威特纳姆;T·瑟德斯特伦
国别省市：瑞士;CH