四结级联太阳能电池及其制备方法 CN201210154976.5

本发明提供一种四结级联太阳能电池，包括InP的衬底层，以及在所述衬底层上依次设置的InGaAs子电池、第一隧道结、InGaAsP子电池、第二隧道结、渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的四结级联太阳能电池的制备方法，步骤为在InP衬底层上依次生长InGaAs子电池、第一隧道结、InGaAsP子电池、第二隧道结、渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。
专利类型：发明
专利号：201210154976.5
专利申请日：2012.05.18
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.08.29
分类号：
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;董建荣;杨辉
国别省市：江苏;32