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晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法 CN201210034

本发明提供晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法。扩散剂中即使不使用Pb类材料,也能够获得良好的电气特性。晶界绝缘型半导体陶瓷以SrTiO3类化合物为主成分而形成,并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂。晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成,并且玻璃成分以不含B和Pb的SiO2-X2O-MO-TiO2类玻璃材料(X表示碱金属,M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种)为主成分,并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3~15重量份。部件主体2由该晶界绝缘型半导体陶瓷形成。
专利类型:发明
专利号:201210034635.4
专利申请日:2012.02.10
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.08.29
分类号:
申请(专利权)人:株式会社村田制作所
发明(设计)人:立川勉
国别省市:日本;JP


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