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发明专利形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法 CN201210306447.2
本发明公开了一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上,以及进行一回火工艺,使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其中,此前驱物溶液包含溶剂、金属硫化物纳米粒子,以...
更新:2013-03-29 09:29:21  查阅全文...
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