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发明专利一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法 CN202010528210.3
本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法,该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括:PI膜;PI膜上表面设有P型电极;P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层;N型GaAs接触层上的...
更新:2020-09-30 14:47:15  查阅全文...
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