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一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法CN201310151086.3
本发明公开了一种晶体硅太阳电池二氧化硅薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将待处理的硅片放入扩散炉进行磷扩散;(2)将硅片保持在扩散炉中,以1~10℃/min的降温速率降温至780~800℃,通入干氧和大氮进行氧化处理,在硅片表面形成二氧化硅薄膜;(3)出舟;(4)将上述硅片放...
更新:
2013-08-09 08:36:09
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