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结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法 CN201910399799.9
本发明涉及一种结合隧穿氧化层的选择性发射极单晶PERC电池的制备方法,包括:双面制绒;单面或双面氧化处理,形成氧化硅;单面或双面多晶硅沉积并掺杂磷素;正面印刷掩膜;去除掩膜以外的多晶硅及氧化硅;去除掩膜;单面或双面掺杂磷素;背面刻蚀并去除磷硅玻璃;背面氧化铝...
更新:
2019-09-30 12:01:51
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