- 发明专利一种改良的晶体硅太阳电池背面结构制备方法 CN201410295737.0
- 本发明公开了一种改良的晶体硅太阳电池背面结构制备方法,运用PVD(物理气相沉积)金属化技术,在晶体硅太阳电池背面形成Al层、Ni:Si层和Ag层叠层结构,具体步骤如下:(1)真空热蒸发沉积Al层;(2)真空溅射沉积Ni:Si层;(3)真空溅射沉积Ag层。本发明能够同时解决表面平整度、...
- 更新:2014-11-28 12:58:40 查阅全文...
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