- 发明专利一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其制备方法 CN201610935414.2
- 本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构,包括硅片基体;硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区,在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层,在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通过一个工艺步骤得到的第二钝化减...
- 更新:2017-05-10 12:32:06 查阅全文...
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