加入收藏
设为首页
联系我们
站内搜索 热门专利搜索: 专利技术 方法 工艺 技术 专利 水泥 电池
您现在的位置: 专利查询>实用专利>五金机械>正文

金属栅制造方法,金属栅生产工艺,金属栅技术专利

1、集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法
2、金属栅的制造方法
3、激光原位开膜的太阳电池金属栅极喷印成形方法及装置
4、金属栅的制造方法
5、集成高K金属栅极和氧化物多晶硅栅极的结构和制备方法
6、一种金属栅器件的制备方法
7、金属栅极调制器及其原位形成方法
8、一种金属栅器件的制备方法
9、改善替代金属栅极硅团聚的方法和晶圆传送装置
10、替换性金属栅极晶体管
11、金属栅极及其形成方法
12、金属栅格自适应驱动系统及方法
13、一种场发射*极超薄难熔金属栅网及其制备方法
14、一种金属栅格加工装置
15、高介电金属栅极制造方法
16、一种金属栅器件的制备方法
17、高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法
18、场效应晶体管的金属栅极及方法
19、高介电常数金属栅的制造方法
20、图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形
21、具有金属栅极切口和凹陷的电力轨的晶体管装置
22、场效应晶体管的金属栅极及方法
23、金属栅的制造方法
24、替代金属栅极集成
25、金属栅半导体器件及其制造方法
26、一种抑制金属栅极高度不对称的工艺方法
27、基于三维金属栅的过模双频段扩展互作用振荡器
28、具有多金属栅结构的HEMT器件及其制备方法
29、金属栅MOS晶体管
30、金属栅结构及其制造方法
31、金属栅的制造方法
32、高介电常数金属栅极器件及其制造方法
33、一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
34、一种高K金属栅极结构及其制作方法
35、金属栅功函数的调节方法及MOSFET的制备方法
36、金属栅极的形成方法
37、一种金属栅温度测量方法
38、金属栅极形成方法及其形成结构
39、金属栅极及其制造方法
40、金属栅极结构及其制造方法
41、虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法
42、包括具有低阈值电压的PMOS金属栅极的CMOS器件
43、高K金属栅极制程的金属-绝缘体-多晶硅电容器及制造方法
44、一种金属栅极的形成方法及半导体器件
45、在金属栅极线端中具有T形的器件和制造半导体器件的方法
46、一种基于金属栅格腔结构实现无线输能的方法及装置
47、用于在量子器件中形成金属栅的侧壁金属垫片
48、使用金属基前驱物的原子层沉积(ALD)工艺的N型金属氧化物半导体(NMOS)金属栅极材料的方法与设备
49、一种用于固定金属栅栏的装置
50、一种波导内填充金属栅格阵列型C波段虚*极振荡器
51、金属栅的制造方法
52、一种高K/金属栅结构的半浮栅晶体管及其制备方法
53、金属栅极及其制造方法
54、一种金属栅线的制备方法
55、一种改善高K金属栅极界面完整性的方法
56、一种基于非辐射式金属栅腔体无线输能的装置及方法
57、一种金属栅极的形成方法及半导体器件
58、金属栅格的形成方法、图像传感器及其形成方法
59、存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成
60、形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构
61、基于超材料的金属栅MOSFET栅极光栅化的探测器
62、一种金属栅极结构及其制造方法
63、金属栅的制造方法
64、液态金属栅控摩擦电子学晶体管、电子水平仪
65、用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
66、基于周期性光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器
67、金属栅极的形成方法以及半导体器件
68、切割金属栅极的方法、半导体器件及其形成方法
69、一种带有钙钛矿发电电池的断路器金属栅片壳体
70、一种制备太阳能电池表面金属栅线的方法
71、具有多金属栅极的晶体管
72、基于周期性光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器
73、基于非周期光栅化漏极金属栅MOSFET太赫兹探测器
74、具有高K金属栅极的嵌入式SONOS及其制造方法
75、金属栅极结构及其制造方法
76、具有倾斜侧壁的切割金属栅极
77、金属栅极的制造方法和半导体器件的制造方法
78、用于先进的集成电路结构制造的差异化电压阈值金属栅极结构
79、金属栅极结构切割工艺
80、基于非周期光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器
81、金属栅极结构的制造方法
82、金属栅极的制造方法
83、一种3D NAND存储器件及其金属栅极制备方法
84、一种带有钙钛矿发电电池的断路器金属栅片
85、基于周期性光栅化漏极金属栅MOSFET太赫兹探测器
86、用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构
87、使用金属栅第一方法来构建三维非易失性存储器器件
88、用于减小晶体管间隔的切割金属栅极工艺
89、用于纳米片装置的取代金属栅极图案化
90、一种估计金属栅晶粒随机取向引起FinFET阈值统计分布的方法
91、用于垂直传输场效应晶体管的替换金属栅极工艺
92、一种高阻硅基双金属栅太赫兹偏振芯片及制备方法
93、一种带有钙钛矿发电电池的断路器金属栅片
94、具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法
95、基于非周期光栅化栅极金属栅MOSFET太赫兹探测器
96、液态金属栅控摩擦电子学晶体管、电子水平仪
97、基于非周期光栅化漏极金属栅MOSFET太赫兹探测器
98、金属栅极的制造方法
99、半导体器件以及半导体器件制造的方法
100、具有共形的金属栅极电极和栅极电介质界面的氮掺杂的非平面Ⅲ?Ⅴ族场效应晶体管
101、用于在取代金属栅极结构提供氮化物覆盖层的方法、设备及系统
102、一种金属栅极结构及其形成方法
103、一种高k金属栅的化学机械研磨工艺建模方法和装置
104、一种3D NAND存储器的金属栅极制造方法
105、一种3D NAND存储器件的金属栅极制备方法
106、金属栅极隔离结构及其形成方法
107、金属栅极、半导体器件及其制造方法
108、一种3D NAND存储器的金属栅极制造方法
109、半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管
110、金属栅偏光片及其制作方法、液晶面板及液晶显示器
111、金属栅极结构、半导体器件及其制造方法
112、一种3D NAND存储器件的金属栅极及其制备方法
113、一种3D NAND存储器的金属栅极制备方法
114、一种提高背面金属栅格分辨率的方法和半导体结构
115、金属栅极的制备方法
116、一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法
117、一种用于3D NAND存储器的金属栅层结构及其形成方法
118、一种金属栅极结构及其形成方法
119、一种用于3D NAND存储器的金属栅层结构及其形成方法
120、一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件
121、金属栅偏光片及其制作方法、液晶显示器
122、通过形成顶部宽且底部窄的伪栅电极来减少金属栅极悬置
123、一种金属栅极制作方法
124、一种3D NAND存储器件的金属栅制备方法
125、金属栅偏光片及显示面板
126、功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法
127、半导体器件及其金属栅极的形成方法
128、一种金属栅极结构及其形成方法
129、半导体结构及其制造方法和高k金属栅鳍式场效应晶体管
130、用于形成取代金属栅极的方法及相关装置
131、具有粗糙阻挡层的金属栅极的结构和方法
132、一种金属栅填充的改善方法
133、金属栅极、半导体器件及其制造方法
134、用于在金属栅极上选择性地形成氮化物帽体的方法和设备
135、一种埋藏型金属栅格生成方法及图像传感器制造方法
136、FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法
137、一种用于扫描条纹管的超薄金属栅网片的清洁方法
138、替代金属栅极的制造方法、finFET器件及finFET器件的制造方法
139、基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法
140、制造氮化钽隔离层的方法与金属栅极堆
141、FINFET器件改进的金属栅极工艺、半导体器件及其制造方法
142、基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法
143、金属栅极晶体管、集成电路、系统及其制造方法
144、一种金属栅的形成方法
145、具有集成的高K金属栅逻辑设备和不含金属的擦除栅的非易失性分离栅存储器单元及其制造方法
146、金属栅极的制备方法
147、基于Si衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法
148、多阈值电压晶体管结构以及形成、配置该结构的方法
149、切割金属栅极的方法
150、高K(HK)/金属栅极(MG)(HK/MG)多次可编程(MTP)切换器件以及相关系统和方法
151、形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法
152、具有整合式高K金属栅的非易失性分离栅存储单元及其制作方法
153、一种双金属栅极的制备方法
154、具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法
155、用金属栅和逻辑器件形成自对准分裂栅存储单元阵列的方法
156、形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法
157、平板电容与闪速存储器和/或高k金属栅极CMOS的集成技术
158、用于金属栅极的制造工艺
159、切割金属栅极的方法
160、金属栅极结构及其制备方法
161、金属栅极及其制备方法
162、一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统
163、用于金属栅极的制造技术
164、基于金属栅极工艺的低成本闪速存储器制造流程
165、金属栅极的制备方法
166、一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法
167、具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池
168、具有金属栅极的分裂栅极非易失性闪存存储器单元及其制造方法
169、金属栅极及半导体器件的制造方法
170、金属栅极的制备方法
171、基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法
172、高K金属栅器件及其制备方法
173、具有金属栅电极的肖特基二极管及其形成方法
174、基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法
175、具有非晶态金属层的金属栅
176、用于3D FINFET金属栅极的结构和方法
177、金属栅制备方法
178、一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法
179、金属栅极及其制造方法


上一篇:形状记忆合金生产工艺,形状记忆合金技术专利,形状记忆合金加工制备方法 下一篇:除尘滤芯加工工艺,除尘装置制造方法,除尘滤芯技术专利


 
本网站介绍
专利查询网提供专利查询,专利号查询,专利检索,发明专利,专利技术,专利搜索,失效专利、专利说明书、过期专利、最新专利 技术资料是专利技术信息查询的专利网。为用户提供各类技术配方工艺的目的在于,为企业新产品开发及现有产品工艺升级或改造提供更加广阔的思路,好的产品和精湛的工艺一定是通过不断的了解、学习、掌握和实践更多的新技术而来。我们将互惠互利的原则为你和你的企业提供专业的技术内容服务。
贴心服务
在本站没查到你需要的,可按你要求关键词等信息来查询定制你所需要的,请联系我们!
专利技术查询

一:内容确定
   
  只须准确记录好我们完整的技术资料名称,电话或邮件,等方式通知我们;

二:委托查询
   
按你需要的名称,专利号,关键词等方法来查询。
   
 
三:交付服务
  
  通过电子邮件发送,收到资料后,若有任何疑问请和我们联系。




联系我们加盟代理版权声明网站地图RSS地图- 购买方式 - 返回首页
Copyright ©2005-2022 专利查询网-专利查询-专利技术-专利号查询-发明专利查询 版权所有
地址:浙江省新昌县大市聚镇西大江路 邮编:312500
联系电话: 0575-86879949 13967599949  客服QQ:12234598

浙ICP备08001054号