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国外激光设备制造技术专利(中文)

1 适用于频率倍增的单模激光器及其构造方法(美国-25页)
 2 可磁调谐并可闩锁的宽范围半导体激光器(美国-14页)
 3 带有共享抽运泵的光纤激光器(美国-10页)
 4 稳定的分布反馈激光器(美国-27页)
 5 固态染料激光器(美国-37页)
 6 半导体激光器光波导电信模块及其制造方法(美国-18页)
 7 压缩调谐的布拉格光栅和激光器(美国-24页)
 8 半导体-固态激光器光波导泵激装置和方法(美国-18页)
 9 自锁模量子级联激光器(美国-23页)
 10 分布式反馈表面等离子体振子激光器(美国-18页)
 11 可靠的、模块化的、制造质量的窄带KrF激子激光器(美国-38页)
 12 具有包含抑弧机构的电极组件的激光器(美国-31页)
 13 带扭折抑制层的半导体激光器(美国-26页)
 14 微机电调谐共焦垂直腔面发射激光器与法布里-珀罗滤光器(美国-31页)
 15 用于波长稳定激光器的主动数值温度补偿的方法及装置(美国-20页)
 16 稳定半导体激光器的方法与装置(美国-19页)
 17 降低蓝移的InP基激光器(美国-19页)
 18 用于照明的垂直腔面发射激光器阵列(美国-11页)
 19 微腔半导体激光器(美国-25页)
 20 用二极管激光器抽运的固体激光增益模块(美国-22页)
 21 具有可见光分布布拉格反射器的垂直谐振腔表面发射激光器(美国-9页)
 22 短波长垂直腔表面发射激光器及其制造方法(美国-13页)
 23 P在下的低阻的上发射脊垂直腔面发射激光器和制造方法(美国-9页)
 24 高温不用冷却的二极管激光器(美国-17页)
 25 Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器及其制造方法(美国-15页)
 26 具有腔内结构的纵腔式表面发射激光器(美国-33页)
 27 竖直腔面发射激光器光学互连工艺(美国-27页)
 28 晶体管与竖直腔面发射激光器的集成化(美国-29页)
 29 外腔半导体激光器(美国-19页)
 30 微片型激光器(美国-22页)
 31 气体激光器(美国-20页)
 32 具有大体平面的波导的激光器(美国-19页)
 33 半导体激光器元件(德国-11页)
 34 激光器波长稳定方法及实现此方法的装置(德国-24页)
 35 线型半导体激光器列阵的光束的导光和整形装置(德国-22页)
 36 具有激光器阵列的激光器件及其制造方法(德国-17页)
 37 二倍频二极管泵激固体激光器(德国-12页)
 38 大功率气体混合物激光器(法国-13页)
 39 应用掺钕铝酸镁镧单晶的激光器(法国-10页)
 40 外腔激光器(英国-12页)
 41 激光器装置(英国-19页)
 42 波导激光器(英国-33页)
 43 一种激光器(英国-30页)
 44 激光器件(英国-22页)
 45 侧向约束激光器(瑞典-6页)
 46 可调谐激光器及其调谐方法(瑞典-13页)
 47 测定可调谐激光器的方法(瑞典-10页)
 48 使可调谐激光器特征化并确定实际波长的方法(瑞典-12页)
 49 锁定波长和监测可调谐激光器的模式的方法(瑞典-11页)
 50 InP-基多量子阱激光器(瑞典-9页)
 51 半导体二极管激光器及其制造方法(荷兰-25页)
 52 半导体激光器及其制造方法(日本-29页)
 53 Q开关激光器装置(日本-27页)
 54 面发光激光器及其制造方法(日本-20页)
 55 III-V氮化物半导体激光器件(日本-18页)
 56 模制型半导体激光器(日本-12页)
 57 光半导体激光器装置及其制造方法(日本-38页)
 58 半导体激光器激励的固体激光器(日本-15页)
 59 半导体激光器件及其制造方法(日本-33页)
 60 自激脉冲半导体激光器(日本-28页)
 61 固体激光器(日本-9页)
 62 多波长面发射激光器及其制造方法(韩国-12页)
 63 垂直腔表面发射激光器(韩国-7页)

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