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一种太阳能电池及其制备方法 CN202011308567.7

本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括设有氧化铝膜的晶体硅片,以及位于所述设有氧化铝膜的晶体硅片的相对两面上的正面减反膜结构和背面钝化膜结构;所述氧化铝膜位于所述晶体硅表面;所述正面减反膜结构的折射率大于或等于2.14。该发明中利用热生长...

/faming/24903.html 类别: 发明专利 日期: 2021-03-05
一种太阳能电池及其制作方法 CN202010933895.X

本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,该制作方法包括:在衬底上形成发电层;在发电层的背向衬底的表面上形成欧姆接触层;在衬底的背向发电层的表面上形成背电极;采用印刷工艺在欧姆接触层的背向发电层的表面上形成顶电极。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明解决了目...

/faming/24888.html 类别: 发明专利 日期: 2020-12-28
电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN202010885233.X

本发明涉及一种电子传输层及其制备方法、钙钛矿太阳能电池及其制备方法。电子传输层的制备方法包括如下步骤:将金属盐溶于第一溶剂中,得到金属盐溶液;之后向金属盐溶液中加入金属盐包裹剂,混匀之后加入C1C4有机胺的醇溶液,混匀后得到混合溶液;将混合溶液升温至120℃~1...

/faming/24887.html 类别: 发明专利 日期: 2020-12-28
一种稳定高效的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN202011082370.6

本发明公开了一种稳定高效的钙钛矿太阳能电池及制备方法,其结构由下至上由导电基底层、空穴传输层、光活性层、界面钝化层、电子传输层、缓冲层和顶电极组成;其中:界面钝化层为聚脲层,所述聚脲的结构通式如式Ⅰ所示:本发明首次提出利用聚脲作为界面钝化层材料,钝化钙钛...

/faming/24883.html 类别: 发明专利 日期: 2020-12-28
硅异质结太阳能电池及其制作方法 CN202010723462.1

本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法,涉及太阳能电池技术领域,以在保证本征非晶硅层钝化效果的同时,提高本征非晶硅层的膜层质量。该硅异质结太阳能电池,包括:晶硅基底;至少形成在晶硅基底一面上的本征非晶硅叠层;本征非晶硅叠层包括层...

/faming/24875.html 类别: 发明专利 日期: 2020-11-30
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN201910361499.1

本发明提供一种钙钛矿太阳能电池,包括钙钛矿吸收层,所述钙钛矿吸收层包括化学通式为ABX3的化合物和第一Ma+及Mb+氧化还原电对,所述化学通式为ABX3的化合物和所述第一Ma+及Mb+氧化还原电对发生反应产生的生成物中包含第二Ma+及Mb+氧化还原电对;所述第一Ma+和Mb+氧化还原电...

/faming/24863.html 类别: 发明专利 日期: 2020-10-30
一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法 CN202010528210.3

本发明公开了一种超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制备方法,该超薄柔性砷化镓太阳能电池芯片包括:PI膜;PI膜上表面设有P型电极;P型电极上的P型InGaAs接触层、InGaAs底电池、缓冲层、第二隧穿结、GaAs中电池、第一隧穿结、GaInP顶电池、N型GaAs接触层;N型GaAs接触层上的...

/faming/24860.html 类别: 发明专利 日期: 2020-09-30
一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 CN201910203642.4

本发明为一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池组件包括衬底、透明导电层、电池活性层和背电极,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池组件包括垂直穿过所述透明导电层的第一沟道;垂直穿过所述电池活性层的第二沟道;和垂直穿过所述背电极和所述电池活性...

/faming/24856.html 类别: 发明专利 日期: 2020-09-30
一种钝化接触太阳能电池的制备方法 CN202010554934.5

本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。该制备方法包括:对晶体硅基体进行预处理,以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层;对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描,使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化,形成正面...

/faming/24854.html 类别: 发明专利 日期: 2020-09-30
一种去绕镀方法及钝化接触太阳能电池制备方法 CN202010273749.9

本申请公开了一种去绕镀方法,包括获得正面形成有BSG层的硅片;在硅片的背面形成氧化层;在氧化层背离硅片的表面形成多晶硅层,并对多晶硅层进行磷扩散形成PSG层,且PSG层的厚度取值范围为30nm至50nm,包括端点值;利用氢氟酸溶液去除正面绕镀,并利用氢氧化钾溶液去除正面...

/faming/24834.html 类别: 发明专利 日期: 2020-07-30
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