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一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201710842368.6

本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法,包括:对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散,得到的磷扩散层形成发射结;对所述磷扩散层进行热氧化,形成隧道氧化层;在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜;去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层,正面沉...

/faming/24506.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-31
低温Si与有机叠层的太阳能电池及制备方法 CN201710727440.0

本发明公开了一种低温Si与有机的叠层太阳能电池,主要解决现有太阳能电池能量转换效率低的问题。其包括阴极(1)、n型硅片基体(2)、p型有机导电薄膜(3)、p型缓冲层(4)、电子传输层(5)、界面修饰层(6)、有机活性层(7)、空穴传输层(8)以及阳极(9)。其中阴极、n型硅片基体和p型有...

/faming/24496.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-24
一种具有相分离结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 CN201710703841.2

一种具有相分离结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。所述具有相分离结构的钙钛矿太阳能电池包括透明导电基底、依次形成于透明导电基底之上的电子传输层、钙钛矿吸光层和空穴传输层的相分离结构、金属电极。本发明在电子传输层上的待沉积区域滴...

/faming/24490.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-17
全铝背场晶体硅太阳能电池背面银浆、其制备方法及用途 CN201710804906.2

本发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池背面银浆、其制备方法及用途,该银浆主要由1020份球形银粉、4060份片状银粉、36份无铅玻璃粉、14份银铝合金阻隔剂、2030份有机载体及0.20.5份加工助剂组成;其制备步骤为:按配方重量份数准确称量各物料于容器中,首先在行星式离心...

/faming/24489.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-17
一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201710649458.3

本发明公开了一种硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法,其中电池包括:导电基底、n型层、p型层和电极,所述n型层为氧化锡薄膜,所述p型层为硒化锑薄膜。相比于传统的n型层硫化镉,本发明使用的氧化锡绿色无毒,可用以构筑绿色无毒的新型硒化锑薄膜太阳能电池。而且氧化锡禁带...

/faming/24469.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-05
一种钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法 CN201710619584.4

本发明特别涉及一种钙钛矿太阳能电池组件,包括n个钙钛矿太阳能电池;n个钙钛矿太阳能电池共用同一块玻璃基板并构成串联结构,且每相邻两个钙钛矿太阳能电池通过激光切割形成的沟道断开,n个钙钛矿太阳能电池的上层表面覆盖有致密绝缘陶瓷层,其中,n2,且n为正整数。本发明...

/faming/24460.html 类别: 发明专利 日期: 2017-12-27
一种太阳能电池用阻燃增韧封装材料及其制备方法 CN201610415301.X

本发明公开了一种太阳能电池用阻燃增韧封装材料及其制备方法,按照重量份的主要原料包括:聚碳酸酯3040份、阻燃增韧剂1015份、蔗糖多酯1525份、二乙氨基丙胺1530份、月桂酸515份、芳香胺类抗氧剂58份;所述含硅阻燃增韧剂,按照重量份的主要原料包括:二氧化硅1218份、铝合...

/faming/24459.html 类别: 发明专利 日期: 2017-12-27
太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法 CN201710660796.7

本发明涉及一种太阳能电池背面局部金属接触方法,其包括如下步骤:1)提供掩膜版;2)采用掩膜版在硅片的背面沉积钝化膜,在硅片上形成电极接触区以及钝化区;3)在电极接触区上形成背电极。上述太阳能电池背面局部金属接触的方法无需在硅片背面开膜,就能够实现太阳能电池背面...

/faming/24457.html 类别: 发明专利 日期: 2017-12-27
一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法 CN201710566633.2

本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法,该方法包括以下步骤:清洗P型单晶硅片;以氢气稀释的硅烷为反应气体,P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜;再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体,在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜;再在非晶碳薄膜表...

/faming/24456.html 类别: 发明专利 日期: 2017-12-27
在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法及太阳能电池 CN201610431569.2

本发明提出了一种在硅衬底上沉积电介质薄膜的方法和应用该方法获得的太阳能电池。该方法包括:清洗硅衬底的表面;在硅衬底的表面通过原子层沉积法沉积电介质薄膜,在温度T1低于350摄氏度下循环操作以下步骤直至电介质薄膜达到一预定厚度D1:持续供给含钛反应化合物,通过原...

/faming/24455.html 类别: 发明专利 日期: 2017-12-27
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