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一种背表面钝化晶体太阳能电池的制备工艺 CN201210278580.1

本发明公开了一种背表面钝化晶体太阳能电池的制备工艺,包括以下步骤:(a)晶体硅片制绒前首先在其背面形成制绒和扩散阻挡层;(b)对硅片进行清洗制绒;(c)对硅片进行扩散,形成P-N结;(d)去除磷硅玻璃和背表面氧化层;(e)正面沉积SiNx薄膜,背面沉积Al2O3和SiNx叠...

/faming/18605.html 类别: 发明专利 日期: 2012-11-16
一种晶体太阳能电池的硼扩散方法 CN201210245228.8

本发明公开了一种晶体太阳能电池的硼扩散方法,包括如下步骤:(1)将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至800~1100℃,通入氧气进行氧化,氧化时间为1~30min;(2)保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃,通硼源、氧气和氮气进行硼扩散;(3)停止通源,保持温度或降温至80...

/faming/18570.html 类别: 发明专利 日期: 2012-11-12
一种晶体太阳能电池片串及其制作方法 CN201210231824.0

本发明涉及一种晶体太阳能电池片串,该电池片串包括多块晶体太阳能电池片和多条焊带,在晶体太阳能电池片的背面印刷有铝浆料层或铜浆料层,焊带的一端焊接在一片晶体太阳能电池片的铝浆料层或铜浆料层上,另一端焊接在相邻的晶体太阳能电池片正面的主栅线上。本发...

/faming/18449.html 类别: 发明专利 日期: 2012-10-25
晶体太阳能电池制造方法及激光二次烧结方法 CN201210168834.4

本发明公开了一种晶体硅太阳电池制造的激光二次烧结方法,包括如下步骤:第一次烧结:激光脉冲的宽度为0.1至300ns;激光脉冲的数量为1个或1个以上;激光脉冲的能量密度为1至25?J/cm2;激光脉冲的波形为矩形波或尖峰波;激光的波长为1064nm、1030nm、532nm、515nm或355nm;第...

/faming/18347.html 类别: 发明专利 日期: 2012-10-11
N型双面背接触晶体太阳能电池的制备方法 CN201210166816.2

专利类型:发明 专利号:201210166816.2 专利申请日:2012.05.27 公开(公告)号: 公开(公告)日:2012.09.26 分类号: 申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 发明(设计)人:王登志;殷涵玉;王栩生;章灵军 国别省市:江苏;32 本...

/faming/18302.html 类别: 发明专利 日期: 2012-09-28
一种晶体太阳能电池背电场银浆的制备方法 CN201110452328.3

本发明涉及一种晶体太阳能电池背电场银浆的制备方法,其特点是,包括以下步骤:(A)无铅玻璃粘结剂的制备:按照原料组成及质量百分比称取;将称量好的原料混合均匀后加热,温度控制在900-1200℃,保温时间30-60分钟,然后用去离子水淬火后,球磨至0.5-2μm,经200-400目过...

/faming/18159.html 类别: 发明专利 日期: 2012-09-07
晶体太阳能电池生产技术、处理薄晶体硅片工艺及晶体硅产品制造方法

晶体太阳能电池生产技术、处理薄晶体硅片工艺及晶体硅产品制造方法 1、晶体太阳能电池背电极 2、铝基晶体硅颗粒太阳电池及其制备方法 3、一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法 4、晶体太阳能电池组串焊模版 5、在晶体太阳能电池片上镀抗反射钝化膜的方法及设备 6...

/syzl/nenyuanranliao/15561.html 类别: 能源燃料 日期: 2011-07-01
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