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晶体太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法 CN201210439754.8

本发明涉及晶体太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法。制作电极样品:用银墨溶液滴加到具有金字塔绒面结构的硅片表面,并对硅片施加水平方向的振动,使整个硅片的表面形成均匀分布纳米银颗粒团聚体结构;烧结电极样品:用微波辐射加热电极样品使纳米银颗粒相互熔合形成相...

/faming/19447.html 类别: 发明专利 日期: 2013-03-26
选择性发射极晶体太阳能电池的制作方法 CN201210518052.9

本发明公开了一种选择性发射极晶体太阳能电池的制备方法。该制备方法包括硅片表面清洁,制绒,扩散制作浅p-n结,制作减反射膜层以及印刷正电极、背电极并烧结的步骤,其中印刷正电极的步骤中采用含磷的银浆进行印刷。由于采用含磷的银浆印刷正电极,印刷后经过烧结炉的烘...

/faming/19433.html 类别: 发明专利 日期: 2013-03-25
一种晶体太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法 CN201210533406.7

本发明公开了一种晶体太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法,所述钝化膜由上下两层SiOxNy薄膜组成,所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜,第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。这种晶体太阳能电池P型硅背面钝化膜克服了高温氧化对硅片少子寿命的损伤,也避免了Si...

/faming/19388.html 类别: 发明专利 日期: 2013-03-18
背面钝化晶体太阳能电池的制备方法 CN201210469616.4

本发明涉及晶体太阳能电池制备领域,具体涉及一种背面钝化晶体太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:(1)将石墨舟中的石墨挡板进行加工,形成镂空的网状结构;(2)将硅片经制绒、扩散制作PN结、周边刻蚀、去除磷硅玻璃后装在硅片花篮里等待镀膜;(3)将经过步骤(2)...

/faming/19375.html 类别: 发明专利 日期: 2013-03-15
一种晶体太阳能电池氧化铝钝化膜和背电极的制备方法 CN201210505066.7

本发明提供了一种晶体太阳能电池氧化铝钝化膜和背电极的制备方法,包括步骤1.在电池片背面形成一层金属铝膜;步骤2.在电池片背面覆盖与设计电极形状相同的石蜡;步骤3.将覆盖了电极形状石蜡的电池片置于电解池中,通电使金属铝膜未被石蜡遮档的部分被氧化成氧化铝;步骤4....

/faming/19273.html 类别: 发明专利 日期: 2013-03-01
一种晶体太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 CN201210369321.X

本发明公开一种晶体太阳能电池三层氮化硅减反射膜,其特征在于,它是由三层膜构成,第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜,厚度为8~12nm,折射率为2.3~2.4,第二层氮化硅薄膜的厚度为18~24nm,折射率为2.0~2.1,第三层氮化硅薄膜的厚度为35~45nm,折射率为1.9~...

/faming/19128.html 类别: 发明专利 日期: 2013-02-01
用于聚光和激光输能的晶体太阳能电池结构及其制作方法 CN201210408491.4

一种用于聚光和激光输能的晶体太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,制作在第二掺杂层上,其...

/faming/19124.html 类别: 发明专利 日期: 2013-02-01
一种单面电极晶体太阳能电池的制法 CN201110221373.8

本发明公开了一种单面电极晶体太阳能电池的制法,其步骤主要包括激光制绒,镀钝化防反射复合膜,激光掺杂,激光制背电极等。所述激光制绒包括以激光在晶体太阳能电池的受光面制备绒面结构和以化学溶液去除激光损伤层。所述激光掺杂采用在真空环境中通入掺杂工艺气体然后...

/faming/19094.html 类别: 发明专利 日期: 2013-01-29
无铅环保型晶体太阳能电池正面银浆及其制备方法 CN201210304657.8

本发明公开了一种无铅环保型晶体太阳能电池正面银浆及其制备方法,其由A、B两部分浆料等比例混合球磨而成。本发明制备出来的银浆中不含铅,对人体和环境危害性小,完全符合环保要求;本发明在银浆中选用了同粒径的银粉与其它导电粒子填充银粉间的间隙,提高了膜层的堆积密...

/faming/18826.html 类别: 发明专利 日期: 2012-12-19
晶体太阳能电池的制备方法 CN201210292348.3

本发明公开了一种晶体太阳能电池的制备方法。该方法包括制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结,在制绒步骤之前进一步包括对硅片进行抛光的步骤。应用本发明的技术方案,通过增加抛光工序,减薄了损伤层的厚度,后续再通过制绒和湿法刻蚀彻底消除损伤层的...

/faming/18699.html 类别: 发明专利 日期: 2012-11-30
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