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一种高性能晶体太阳能电池背场浆料的制备方法 CN201410100299.8

本发明一种高性能晶体太阳能电池背场浆料的制备方法,属于太阳能电池背场浆料的技术领域;提供一种高性能晶体太阳能电池背场铝浆的制备方法,该铝浆不含铅,过网性能好,烧结后硅片翘曲小,铝膜不起铝珠、铝包,致密性及导电性好,铝膜与电池片附着力高,电池片转换效率...

/faming/22166.html 类别: 发明专利 日期: 2014-06-03
一种P型晶体太阳能电池的钝化层及其钝化工艺 CN201410031066.7

本发明公开了一种P型晶体太阳能电池的钝化层及其钝化工艺,钝化层是由氧化铒构成。其钝化工艺为在晶体硅电池的制作中,当P型晶体硅完成沉积减反射膜工序后,先在P型晶体硅衬底背光面的P型一侧沉积氧化铒钝化层,然后进行退火处理,在钝化层与P型晶体硅衬底背光面的P型一侧...

/faming/21950.html 类别: 发明专利 日期: 2014-04-25
晶体太阳能电池的背钝化方法及晶体太阳能电池的制备方法 CN201410011390.2

本发明涉及一种晶体太阳能电池的背钝化方法及晶体太阳能电池的制备方法。该晶体太阳能电池的背钝化方法包括提供硅片,在所述硅片的正面进行制绒后在所述硅片的正面上形成绒面;在所述硅片的绒面上制备掩盖膜,得到层叠有掩盖膜的硅片;及将所述层叠有掩盖膜的硅片放入...

/faming/21937.html 类别: 发明专利 日期: 2014-04-24
一种背接触晶体太阳能电池及其制造方法 CN201310721870.3

一种背接触晶体太阳能电池包括硅基底,所述硅基底具有硅基底非受光面;所述硅基底非受光面上设置了交替排列分布的P型区和N型区;其中,在P型区和N型区交替区域相对的两侧,一侧设有P型区边缘条,另一侧设有N型区边缘条;P型边缘条垂直于P型区与N型区的延伸方向,N型边缘条...

/faming/21932.html 类别: 发明专利 日期: 2014-04-24
N型硅片的硼扩散方法、晶体太阳能电池及其制作方法 CN201310625943.9

本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温,并通入氮气、氧气和硼源对硅片进行表面沉积;扩散阶段,将表面沉积后的硅片升温至预定温度,推进硼扩散;以及降温阶段,将硼...

/faming/21706.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-18
N型硅片的硼扩散方法、晶体太阳能电池及其制作方法 CN201310627365.2

本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至890℃~920℃,之后通入氮气、氧气和硼源使其硅片表面进行沉积;扩散阶段,在氮气气氛下将表面沉积后的硅片升温至预定温度,...

/faming/21696.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-17
N型硅片的硼扩散方法、晶体太阳能电池及其制作方法 CN201310627344.0

本发明公开了一种N型硅片的硼扩散方法、晶体太阳能电池及其制作方法。硼扩散方法包括以下步骤:沉积阶段,将湿法刻蚀后的硅片放入扩散炉内升温至预定沉积温度,并通入硼源、氧气和氮气使其在硅片表面进行沉积;推进扩散阶段,将表面沉积后的硅片升温至预定扩散温度,推进...

/faming/21683.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-14
一种制备具有表面钝化的PN结和晶体太阳能电池的方法 CN201310574857.X

  本发明涉及制备具有表面钝化的PN结和晶体太阳能电池的方法,步骤1)离子注入掺杂;2)离子注入掺杂后,将硅片放置到快速热退火炉管中后,将硅片的温度从600-700℃以较快的升温速度迅速升至950-1150℃之间的某个温度点,同时在惰性气体气氛下进行快速退火,在此过...

/faming/21643.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-10
一种晶体太阳能电池片扩散方法 CN201310350609.7

本发明公开了一种晶体太阳能电池片扩散方法,使用氢氟酸或硝酸对硅片表面进行油污清洗及制绒,将清洗制绒后的硅片放置于立式扩散炉内进行扩散,扩散工艺包括以下步骤:(1)入炉:将放置有晶体硅片的石英舟匀速入炉;(2)抽真空:抽真空后炉腔内的压力为300±50mTo...

/faming/21634.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-07
局部掺杂背纯化晶体太阳能电池及其制作方法 CN201310611347.5

本发明公开了一种局部掺杂背纯化晶体太阳能电池及其制作方法。包括以下步骤:S1、对硅片表面清洁制绒,并在制绒后的硅片的背面镀钝化层;S2、在钝化层上设置硼扩散槽区,并利用离子注入法在硼扩散槽区内进行硼源掺杂;S3、在硅片正面依次形成p-n结和减反射膜;S4、印刷正...

/faming/21609.html 类别: 发明专利 日期: 2014-03-03
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