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一种晶体太阳能电池用铝导电浆料及其制备方法 CN201410640308.2

本发明公开了一种晶体太阳能电池用铝导电浆料及其制备方法,所述铝导电浆料的成分包括细铝粉、粗铝粉、无机玻璃粉、有机载体、有机抗翘曲物质、流平剂、分散剂、消泡剂、触变剂、增稠剂和防沉淀剂。所述有机抗翘曲物质可溶于有机溶剂,均匀分散于铝导电浆料中,在铝导电浆...

/faming/23216.html 类别: 发明专利 日期: 2015-02-02
背面铝箔点接触的PERC晶体太阳能电池制备方法 CN201410461039.3

本发明提供了一种背面铝箔点接触的PERC晶体太阳能电池制备方法,在硅片的背面铺贴铝箔,采用激光烧蚀,使铝箔与硅基体局部熔融形成局部欧姆接触;本发明提出可以利用廉价的铝箔替代铝浆,采用激光将铝箔与硅基体局部熔融,解决了铝浆印刷碎片率高的问题,节约了生产成本,...

/faming/23110.html 类别: 发明专利 日期: 2014-12-15
一种背钝化PERC晶体太阳能电池的制备方法 CN201410461038.9

本发明公开了一种背钝化PERC晶体太阳能电池的制备方法,其中,硅片背面采用印刷式的背钝化方式,将钝化浆料以点接触的图案到硅片背面:通过上述方式达到替代背钝化膜沉积和激光开膜两个工艺步骤的目的,从而背钝化PERC晶体太阳能电池的生产避免了采用真空沉积设备和激光...

/faming/23097.html 类别: 发明专利 日期: 2014-12-11
一种适用于提升晶体太阳能电池转换效率的扩散工艺 CN201410288203.5

本发明公开了一种适用于提升晶体太阳能电池转换效率的扩散方法,使用的硅片是电阻率为1-3ohm·cm的156mm╳156mm规格的P型多晶硅片,常规酸制绒后再进行磷吸杂的扩散方法,扩散炉为荷兰的TEMPRESS,通过增加扩散炉水冷,扩散步骤后加入了快速降温磷吸杂过程,找到合...

/faming/22969.html 类别: 发明专利 日期: 2014-10-30
一种双层结构ITO电极晶体太阳能电池的制备方法 CN201410303370.2

本发明涉及一种双层结构ITO电极晶体太阳能电池的制备方法,包括制绒、热扩散制p-n结、去磷硅玻璃、制备ITO电极、背面印刷Al背场和Ag电极、正面印刷Ag主栅线。通过磁控溅射制备双层结构ITO电极,在沉积ITO复合导电薄膜和ITO薄膜并退火结束后,在硅片背面印刷Al背场和Ag电极...

/faming/22924.html 类别: 发明专利 日期: 2014-10-21
一种晶体太阳能电池用无铅导电银浆及其制作方法 CN201410303650.3

本发明公开了一种晶体太阳能电池用无铅导电银浆,其特征在于,由下列重量份的原料制成:银粉40-50、甲酸甲酯2-3、乙二胺四乙酸二钠1-2、酒石酸钾钠0.4-0.9、硬脂酸1.4-2.6、可再分散乳胶粉2.3-3.6、二壬基萘磺酸钡0.3-0.7、十二烯基丁二酸1.2-2.8、助剂30-40、适量水;本...

/faming/22882.html 类别: 发明专利 日期: 2014-10-14
高转化效率抗PID晶体太阳能电池及其制造方法 CN201410274668.5

本发明涉及晶体太阳能电池制造技术,具体是一种高转化效率抗PID晶体太阳能电池及其制造方法。该高转化效率抗PID晶体太阳能电池包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的氧化硅膜层、沉积在氧化硅膜层上的一层或多层氮化硅膜层、沉积在氮化硅膜层上的氮氧化硅膜层;所述氧化硅膜...

/faming/22875.html 类别: 发明专利 日期: 2014-10-13
一种晶体太阳能电池的加工方法 CN201410251454.6

本发明涉及一种晶体太阳能电池的加工方法,有如下步骤:将硅片进过表面结构化、制作发射极、周边刻蚀、磷硅玻璃去除、氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结;最后将所得电池片进行高温退火。该方法对电池片中的微缺陷进行了有效修复的同时可以有效的提高氮化硅薄膜的均匀...

/faming/22798.html 类别: 发明专利 日期: 2014-09-18
背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体太阳能电池制备方法 CN201410220006.X

  本发明提供的本发明提供了一种背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体太阳能电池制备方法,包括硅片去损伤并制绒、清洗;磷扩散;背面磷硅玻璃去除,并实现背面抛光,去除磷硅玻璃并清洗;背面氧化铝薄膜生长;正面氮化硅减反射薄膜生长;激光开膜;背面印刷电极及不腐蚀氧化...

/faming/22641.html 类别: 发明专利 日期: 2014-08-25
一种抗PID晶体太阳能电池制作方法 CN201410134437.4

一种抗PID晶体太阳能电池的制作方法,该制作方法是通过臭氧氧化的工艺,在硅基底与氮化硅之间制作一层氧化硅层。由于臭氧的氧化能力极强,能够在硅基底表面迅速的生成一层致密氧化硅层。该氧化硅层,能够在非常薄的情况下,满足抗PID的需求,因而避免了现有技术中,由于氧...

/faming/22277.html 类别: 发明专利 日期: 2014-06-18
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