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一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201710842368.6

本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法,包括:对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散,得到的磷扩散层形成发射结;对所述磷扩散层进行热氧化,形成隧道氧化层;在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜;去除所述P型硅片背面的绕镀和绕扩层,正面沉...

/faming/24506.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-31
全铝背场晶体硅太阳能电池背面银浆、其制备方法及用途 CN201710804906.2

本发明公开了一种全铝背场晶体硅太阳能电池背面银浆、其制备方法及用途,该银浆主要由1020份球形银粉、4060份片状银粉、36份无铅玻璃粉、14份银铝合金阻隔剂、2030份有机载体及0.20.5份加工助剂组成;其制备步骤为:按配方重量份数准确称量各物料于容器中,首先在行星式离心...

/faming/24489.html 类别: 发明专利 日期: 2018-01-17
一种晶体硅太阳能电池片资源分类回收方法 CN201710590390.6

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片资源分类回收方法,包括以下步骤:清洁晶体硅太阳能电池片得到干净的硅晶片;去除硅晶片表面的铝;去除硅晶片表面的银;去除硅晶片表面的防反射层以及N型结:在室温下,将已经去除铝和银的硅晶片洗干净,放入混合酸水溶液中,混合酸水溶...

/faming/24440.html 类别: 发明专利 日期: 2017-12-13
晶体硅太阳能电池无主栅银浆料及其制备方法 CN201710523412.7

本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其是一种晶体硅太阳能电池无主栅正银浆料,它的成分由下列重量百分比的原料组成:银粉75~90%,玻璃粉1~8%,有机载体5~15%,助剂0~3%,余量为溶剂,有机载体采用乙基纤维素,其它树脂选自松香、聚酰胺、聚酯、丙烯酸树脂、醇酸树脂、环...

/faming/24382.html 类别: 发明专利 日期: 2017-11-08
一种PERC晶体硅太阳能电池正银浆料及其制备方法 CN201710522050.X

本发明涉及电子材料技术领域,尤其是一种PERC晶体硅太阳能电池正银浆料,各组分的质量百分含量为:1~90%银粉,5~15%有机载体,1~8%玻璃粉,助剂0~3%,助熔剂0.01~0.2%,各组分含量之和为100%。所述助熔剂为从La、Ce、Nd、Eu、Gd、Tm、Er中选择的一种或几种金属或其金属...

/faming/24346.html 类别: 发明专利 日期: 2017-10-11
用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺 CN201710305222.8

本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池的扩散工艺,包括如下步骤:依次进行三步扩散和推进,其中,第一步扩散和第一次推进的中心温度为810℃,第二步扩散和第二次推进的中心温度为820℃,第三步扩散和第三次推进的中心温度为830℃,于每步扩散中通入携带磷源氮气。本发明实...

/faming/24282.html 类别: 发明专利 日期: 2017-08-23
一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺 CN201710192931.X

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺,采用在晶体硅基板表面溅射单层硼铝化合物减反射膜;溅射方法:对晶体硅基板表面进行预清洗;将经过预清洗的晶体硅表面进行刻蚀操作;将经过刻蚀操作的晶体硅转移至磁控溅射室内,作为基材,采用单质铝作为靶材,充入硼氢烷和惰...

/faming/24245.html 类别: 发明专利 日期: 2017-07-26
一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201611073643.4

本发明公开了一种具有交叉电极的晶体硅太阳能电池,包括单晶硅片,在所述一面设有背反射层,在所述单晶硅片的另一面设有绒面和减反射膜结构,在所述单晶硅片的一端设有正电极,单晶硅片的另一端设有负电极,在所述正电极的内侧设有P+掺杂层,在所述负电极的内侧设有N+掺杂层...

/faming/24145.html 类别: 发明专利 日期: 2017-05-17
一种抗PID效应晶体硅太阳能电池的制作方法 CN201611064340.6

本发明公开了一种抗PID效应晶体硅太阳能电池的制作方法,抗PID效应晶体硅太阳能电池在硅基层和氮化硅膜之间形成一层二氧化硅,具体步骤如下:对硅基片进行前工序处理,处理包括去损伤层清洗、制绒、扩散和刻蚀步骤;将处理后的硅基片进行去磷硅玻璃清洗;将清洗后的硅基片浸...

/faming/24128.html 类别: 发明专利 日期: 2017-05-03
一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池及其制备方法 CN201710020815.X

本发明公开了一种喷墨打印双面晶体硅太阳能电池,包括P型硅基体,P型硅基体的正面设有磷扩散层、绒面织构、减反钝化膜、正面银电极,背面设置有纳米氧化硅层、非晶/多晶P+层、透明导电薄膜层、背面银电极;其能够有效改进光线吸收和电流收集,减少光学和电学损失。本发明还...

/faming/24126.html 类别: 发明专利 日期: 2017-05-03
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