一种双结叠层太阳电池及其制备方法 CN201910392637.2

本发明公开了一种双结叠层太阳电池及其制备方法。本发明采用宽带隙的CBTS薄膜太阳电池作为顶电池，窄带隙的CIGS薄膜太阳电池作为底电池，以金属电极以及CIGS薄膜太阳电池中的CIGS钼层作为双节叠层的两端，形成双结叠层太阳电池。本发明所提供的双结叠层太阳电池制备方法工艺简单，制备的双结叠层太阳电池能突破单结SQ理论效率限制，实现宽光谱吸收优势。
专利类型：发明
专利号：201910392637.2
专利申请日：2019.05.13
公开（公告）日：2019.07.30
申请（专利权）人：中国科学院电工研究所;
发明（设计）人：李辉; 罗海天; 屈飞; 古宏伟;
国别省市：北京;11