一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法 CN201711118890.6
一种二硫化钼/硅双结太阳能电池及其制备方法。所述电池由下至上依次包括：第一电极(1)、第一钝化层(2)、硅衬底(3)、硅掺杂层(4)、第二钝化层(5)、第一透明导电层(6)、第三钝化层(7)、二硫化钼层(8)、二硫化钼掺杂层(9)、第四钝化层(10)、第二透明导电层(11)和第二电极(12)，第二电极(12)的宽度小于第二透明导电层(11)。本发明与目前报道的晶体硅基双结太阳能电池相比，该电池的制造成本更低。
专利类型：发明
专利号：
201711118890.6
专利申请日：
2017.11.14
公开（公告）日：
2018.04.10
申请（专利权）人：
天津理工大学;
发明（设计）人：
邢宇鹏; 黄胜明; 张楷亮; 赵金石; 杨正春;
国别省市：
天津;12
