一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺 CN201710957062.5
本发明公开了一种P型双面晶硅太阳电池的制作工艺，包括以下步骤：晶硅表面双面制绒，慢提拉生长隧道氧化层‑单面硼深扩散‑另外一面磷扩散‑去除两边的硼磷硅玻璃‑正面镀氮化硅膜‑正面印刷负电极‑背面镀透明导电薄膜‑背面印刷正电极，该制作工艺简单易行，制作出的太阳电池结构简单紧凑，增加光的重复使用，提高发电效率。
专利类型：发明
专利号：
201710957062.5
专利申请日：
2017.10.16
公开（公告）日：
2018.03.09
申请（专利权）人：
浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
发明（设计）人：
褚玉壮; 何晨旭; 赫汉; 吴泓; 朱波兴;
国别省市：
江苏;32
