一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法 CN201710711393.0

本发明涉及一种降低PERC电池片衰减的镀膜工艺方法，采用氨气、硅烷和甲烷作为反应气体，在硅片表面沉积碳化硅和氮化硅双层钝化减反膜，一方面由于碳化硅和氮化硅具有较好的体钝化效果，提升了硅片表面的钝化效果，提升了光电转换效率，另一方面碳化硅膜中含有较多的碳，其会通过高温扩散到硅材料中，与氧来形成碳氧相关的复合体，减少硅中氧的浓度，间接降低了硅片内部氧的含量，降低了光致衰减。
专利类型：发明
专利号：201710711393.0
专利申请日：2017.08.18
公开（公告）日：2017.12.12
申请（专利权）人：常州亿晶光电科技有限公司;
发明（设计）人：胡琴; 朱露;
国别省市：江苏;32