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一种异质结太阳能电池的硅片处理方法 CN201610150143.X


本发明公开了一种异质结太阳能电池的硅片处理方法,包括如下步骤:先对硅片进行去损伤处理;再对硅片进行退火处理,诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移在硅片形成洁净区;然后让硅片进行两面制绒处理,形成金字塔绒面;再进行化学清洗,去除化学氧化层和表面残余,并钝化硅片表面;最后将硅片进行二次退火处理,通过氢促进硅片中氧外扩,让硅片表面形成负氧区。本发明采用腐蚀性溶液对硅片表面进行腐蚀,去除掉表面的机械损伤层后,放入常压空气中快速退火,诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移形成洁净区,然后化学制绒和清洗后再次放入高纯氢气中二次退火,利用氢促进硅中氧外扩,使得硅片表面形成负氧区,有效的去除了硅片表面的金属杂质及改善了氧含量。
专利类型:发明
专利号:201610150143.X
专利申请日:2016.03.16
公开(公告)日:2017.09.26
申请(专利权)人:钧石(china)能源有限公司;
发明(设计)人:维庄辉虎; 林锦山; 宋广华; 杨与胜; 王树林;
国别省市:福建;35


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