一种异质结太阳能电池的硅片处理方法 CN201610150143.X

本发明公开了一种异质结太阳能电池的硅片处理方法，包括如下步骤：先对硅片进行去损伤处理；再对硅片进行退火处理，诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移在硅片形成洁净区；然后让硅片进行两面制绒处理，形成金字塔绒面；再进行化学清洗，去除化学氧化层和表面残余，并钝化硅片表面；最后将硅片进行二次退火处理，通过氢促进硅片中氧外扩，让硅片表面形成负氧区。本发明采用腐蚀性溶液对硅片表面进行腐蚀，去除掉表面的机械损伤层后，放入常压空气中快速退火，诱发金属杂质及晶体缺陷向表面位移形成洁净区，然后化学制绒和清洗后再次放入高纯氢气中二次退火，利用氢促进硅中氧外扩，使得硅片表面形成负氧区，有效的去除了硅片表面的金属杂质及改善了氧含量。
专利类型：发明
专利号：201610150143.X
专利申请日：2016.03.16
公开（公告）日：2017.09.26
申请（专利权）人：钧石（china）能源有限公司;
发明（设计）人：维庄辉虎; 林锦山; 宋广华; 杨与胜; 王树林;
国别省市：福建;35