一种锂离子电池纳米级硅负极的制备方法 CN201710067256.8

本一种锂离子电池纳米级硅负极的制备方法，涉及锂离子电池。所述锂离子电池纳米级硅负极为一种硅@空洞@碳结构硅负极，通过表面修饰，在硅球表面接枝引发剂，得接枝引发剂的硅球；将得到的接枝引发剂的硅球通过活性自由基聚合接枝可完全热分解的聚合物作为媒介层；在所得样品表层包覆碳包覆层作为碳层的先驱体；将所得的样品经空气氛中氧化交联和惰性气氛下热解，媒介层完全分解得到硅膨胀的空洞空间，碳层先驱体热解炭化得到壳层碳，得锂离子电池纳米级硅负极。与可控性较强的活性自由基聚合方法有效地结合起来。可调控运用不同的碳源。操作可控性强，可有效调节硅球膨胀的空间，以及碳层厚度。操作过程易行，危险小，易放大。
专利类型：发明
专利号：201710067256.8
专利申请日：2017.02.06
公开（公告）日：2017.08.15
申请（专利权）人：厦门大学;
发明（设计）人：刘安华; 吴鹏飞; 苏智明; 胡志明; 刘星煜; 郭长青;
国别省市：福建;35