一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法 CN201510597972.8
本发明涉及一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法，对全背接触晶体硅电池进行背面高温硼扩散形成发射结、背面磷扩散形成背表面场、正面磷扩散前表面场、正面/背面钝化减反射层沉积处理，然后进行电极图形及金属化处理工艺，完成全背接触高效晶硅电池金属图形化的制作。与现有技术相比，本发明在后续金属化中不需要昂贵的光刻设备、PVD或溅射等大型金属沉积设备，且与常规量产丝网印刷设备兼容，大幅度降低全背接触晶体硅电池制备成本。
专利类型：发明
专利号：
201510597972.8
专利申请日：
2015.09.18
公开（公告）日：
2017.03.29
申请（专利权）人：
上海神舟新能源发展有限公司;
发明（设计）人：
汪建强; 钱峥毅; 郑飞; 林佳继; 张忠卫; 石磊;
国别省市：
上海;31
