一种光伏电池及其制备方法 CN201611040123.3
本发明公开了一种光伏电池及其制备方法，所述光伏电池包括：背电极；衬底层，其设置在所背电极上方；以及n型InaAlaGa1‑2aN层，其设置在所述衬底层上方，0.18≤a≤0.30；掺杂InbAlbGa1‑2bN层，其设置在所述n型InaAlaGa1‑2aN层上方，0.32≤b≤0.48；p型IncAlcGa1‑2cN层，其设置在所述掺杂InbAlbGa1‑2bN层上方，0.12≤c≤0.38；窗口层，其设置在所述p型IncAlcGa1‑2cN层的上方；正电极，其设置在所述窗口层的上方；其中，在所述衬底层、n型InaAlaGa1‑2aN层、掺杂InbAlbGa1‑2bN层、p型IncAlcGa1‑2cN层和窗口层分别设有陷光结构，本发明使光伏电池具有较高的输出功率和较高的光电转化率，还提供一种光伏电池陷光结构锥角和蚀刻计算公式，能够提高光在光伏电池中的光程，使光吸收增加，提高光电转化率。
专利类型：发明
专利号：
201611040123.3
专利申请日：
2016.11.11
公开（公告）日：
2017.02.22
申请（专利权）人：
辽宁工业大学;
发明（设计）人：
李光林; 蔡坤良; 马永红; 吕娓;
国别省市：
辽宁;21
