一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法 CN201610785368.2

本发明一种单晶硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述电池包括依次层叠的ITO层、a‑Si(p)层、a‑Si(i)层、基底、a‑Si(i)层、a‑Si(n)层和ITO层，以及在ITO层和a‑Si(p)层间插入高掺杂的a‑Si(p+)层，或在ITO层和a‑Si(n)层间插入高掺杂的a‑Si(n+)层。所述方法将基底在等离子增强化学气相沉积设备中，分步进行异质结太阳能电池的a‑Si(i)层、a‑Si(n)层和a‑Si(p)层沉积；在电池的a‑Si(p)/ITO层界面或a‑Si(n)/ITO层界面中沉积高掺杂的a‑Si(p+)层或高掺杂的a‑Si(n+)；最后沉积ITO电极得到硅基异质结太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：201610785368.2
专利申请日：2016.08.30
公开（公告）日：2016.12.07
申请（专利权）人：陕西师范大学;
发明（设计）人：刘生忠; 郭小佳;
国别省市：陕西;61