一种太阳电池发射极的制备方法 CN201510552322.1
本发明提供了一种太阳电池发射极的制备方法，包括：A)将硅片进行制绒、扩散与刻蚀处理，得到预处理的硅片；B)利用臭氧氧化预处理的硅片，在表面形成氧化层，然后利用氢氟酸溶液去除氧化层，得到太阳电池发射极。与现有技术相比，本发明在常温下利用臭氧氧化预处理的硅片，可在其表面形成氧化层，然后再利用氢氟酸溶液去除氧化层，可有效去除发射极的死层，改善太阳电池的短波光谱响应，提高电池效率，且该方法简单可控，不会显著增加生产成本，适合大规模量产。
专利类型：发明
专利号：
201510552322.1
专利申请日：
2015.09.01
公开（公告）日：
2016.01.06
申请（专利权）人：
浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司
发明（设计）人：
金井升; 蒋方丹; 金浩
国别省市：
浙江;33
