用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺 CN201410776694.8

本发明提供了一种方法，方法包括：在太阳能电池衬底的缓冲层的一部分上方沉积酸。在缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使正面接触材料不接合至其上具有酸的缓冲层的部分。因此，形成其间具有间隔的太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层。本发明涉及用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺。
专利类型：发明
专利号：201410776694.8
专利申请日：2014.12.15
公开（公告）日：2015.09.23
申请（专利权）人：台积太阳能股份有限公司
发明（设计）人：黄乙峯;
国别省市：china台湾;71

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