一种非晶硅薄膜太阳能电池及制造方法 CN201510032711.1

本发明公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池制造，属于太阳能技术领域。本发明的目的在于解决PIN非晶硅膜层和背电极膜层脱落，漏电漏大等问题。本发明的技术特在于PIN光电转化层完全覆盖在前电极图形ITO透明导电膜层上。引出铜浆电极覆盖在背漆保护层开口处背漆面和碳浆电极面上，其铜浆电极的附着力达到0.6公斤以上。实施本发明产生的积极效果，漏电流显著减小，优质良品率显著提高，降低了生产成本。
专利类型：发明
专利号：201510032711.1
专利申请日：2015.01.21
公开（公告）日：2015.05.06
申请（专利权）人：深圳市创益新材料有限公司
发明（设计）人：李毅; 胡盛明; 李全相; 周建华; 吴志武
国别省市：广东;44