一种晶硅太阳能电池及其制备方法 CN201410671483.8

本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制备方法，包括：在硅片正面形成绒面；在硅片正面进行高方阻磷扩散，所述高方阻扩散采用的方阻值为110~150欧姆；去除磷扩散形成的正面磷硅玻璃和周边PN结；所述硅片正面形成减反膜；在硅片背面印刷背电场和背电极；在硅片正面印刷正电极，正电极包括主栅和副栅，所述副栅为非直线形状，所述主栅为直线形状。相应的，本发明还提供一种由上述晶硅太阳能电池制备方法制得的电池。采用本发明，非直线副栅比直线副栅具有更强的搜集电子的能力，同时高方阻工艺提升了电池的开压和短流，进而提升晶硅太阳能电池的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201410671483.8
专利申请日：2014.11.21
公开（公告）日：2015.03.25
申请（专利权）人：广东爱康太阳能科技有限公司
发明（设计）人：方结彬; 秦崇德; 石强; 黄玉平; 何达能
国别省市：广东;44