一种CIGS太阳能电池吸收层的制备设备及其制备方法 CN201410598482.5

一种CIGS太阳能电池吸收层的制备设备及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：（1）放置样品与安装靶材；（2）关闭真空室，进行抽真空；（3）溅射和硒化制备CIGS薄膜，其中，在步骤（1）中，所述样品为镀Mo层的衬底，所述衬底采用玻璃、石英或金属衬底，所述靶材由Cu、In、Ga三种元素组成的靶材或由Cu、In、Ga三种元素任一种或两种组成的靶材。该制备方法在溅射基础上进行改进，将CIG预制层溅射和后硒化结合在一起，在溅射制备出CIG薄膜的同时H2Se气体与CIG预制层反应硒化，形成CIGS薄膜，省略了后硒化工艺，简化了工艺流程，且通过调节靶材的溅射功率及H2Se气体的含量可控制CIGS薄膜成分的要求，避免了后硒化过程中其他二元、三元杂相生成的现象。
专利类型：发明
专利号：201410598482.5
专利申请日：2014.10.31
公开（公告）日：2015.01.21
申请（专利权）人：徐东
发明（设计）人：徐东;仁昌义
国别省市：安徽;34