一种薄膜\晶硅叠层太阳电池及其制造方法 2011103409948

本发明公开了一种薄膜\晶硅叠层太阳电池及其制备方法。一种双结叠层电池结构，底电池为晶硅电池，顶电池为硅薄膜电池；晶硅电池采用n型硅片作为衬底形成电池的基区，硅衬底的正表面采用高温扩散形成P型层作为电池发射区，硅片背表面沉积钝化层和背电极；硅薄膜电池沉积在晶硅电池正表面上，沉积顺序为n型层、本征层、p型层；在p型层表面沉积透明导电薄膜，并在其上设置金属电极。本发明特点：由于硅薄膜材料禁带宽度较大，硅薄膜顶电池吸收高能量的短波光，透过顶电池的光被晶硅底电池吸收，并可调整晶硅电池厚度，以获得与顶电池匹配的电流密度。可拓展电池的光谱响应范围，提高电池转换效率，同时获得高的开路电压和较好的高温性能。
专利类型：发明
专利号：2011103409948
专利申请日：2011.11.02
公开（公告）日：2014.12.31
申请（专利权）人：常州合特光电有限公司
发明（设计）人：张群芳
国别省市：江苏