一种背接触太阳电池及其制备方法 2014105527228

本发明公开了一种背接触太阳电池及其制备方法，所述背接触太阳电池包括晶体硅片、设置在晶体硅片正面的栅线结构以及设置在晶体硅片背面的穿孔电极，所述穿孔电极贯穿晶体硅片，并与栅线结构连接，所述栅线结构包括多组十字主栅线和若干条细栅线，每条细栅线围成一个“口”字形，每条细栅线至少与一组十字主栅线相交，所述穿孔电极连接在每组十字主栅线的中心处，所述十字主栅线的宽度为60~150μm，细栅线的宽度为30~90μm。本发明采用上述结构，能够提高太阳电池的性能，降低生产成本，适应规模化生产的要求。
专利类型：发明
专利号：2014105527228
专利申请日：2014.10.17
公开（公告）日：2014.12.31
申请（专利权）人：天威新能源控股有限公司
发明（设计）人：龙巍;吴婧;陈先知;林洪峰
国别省市：四川