基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法 CN201410449828.5
本发明公开了一种基于离子注入工艺的n型IBC硅太阳能电池制作方法，通过采用硼扩散和离子注入方式相结合实现n+、p+区域的掺杂，且该工艺无需在背面的n+/p+界面进行隔离，即可有效地避免电池的隧道结漏电。
专利类型：发明
专利号：
201410449828.5专利申请日：
2014.09.05公开（公告）日：
2014.07.01申请（专利权）人：
奥特斯维能源（太仓）有限公司发明（设计）人：
董经兵;朱彦斌;张斌;邢国强国别省市：
江苏;32
