一种新型双面薄膜太阳电池及其工业制造方法 CN201410429826.X

本发明属高效低成本薄膜太阳电池领域，具体为一种新型双面薄膜太阳电池及其工业制造方法。本发明首先激光分割TCO-1（前电极和电子传导体（ETM）），在经过激光分割后的TCO-1导电玻璃上（带隙宽度>3.2eV，电子亲合势约~4.8eV）双源共蒸发沉积ABX3（A=CH3NH3等，B=Pd，Sn等，X=I，Cl，Br等）钙钛矿吸收层（200-400nm厚，带隙宽度1.5eV，电子亲合势3.93eV），再将样品转移到PECVD设备中沉积梯度掺杂p/p+型氢化硅基薄膜（5~30nm厚，带隙宽度1.8~2.0eV，电子亲合势3.45eV），以构建背面电场，紧接着样品进行第二道激光分割后转移到真空设备中制备沉积TCO-2（ITO或ZnO等），最后将完成所述工序的样品进行第三次激光分割，构建复合栅线电极。最终实现高效率低成本的新型双面采光太阳电池。
专利类型：发明
专利号：201410429826.X
专利申请日：2014.08.28
公开（公告）日：2014.11.19
申请（专利权）人：云南师范大学
发明（设计）人：胡志华;施光辉;段良飞
国别省市：云南;53