化合物太阳能电池的制造方法 CN201380010237.1

为了提供能够以低成本制造高转换效率的化合物太阳能电池的方法，假定相对于基板(1)的层形成面垂直状延伸的假想中心轴X时，在该假想中心轴X的两侧，以相对的状态配置2张溅射用阴极靶材(6)、(6’)，并通过使用高频(RF)电源、或组合使用直流(DC)电源和高频(RF)电源的溅射法来进行缓冲层的形成。
专利类型：发明
专利号：201380010237.1
专利申请日：2013.02.25
公开（公告）日：2014.11.05
申请（专利权）人：日东电工株式会社
发明（设计）人：寺地诚喜;河村和典;西井洸人;渡边太一
国别省市：日本;JP