一种硅异质结太阳能电池的制作方法 CN201410368289.2

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。
专利类型：发明
专利号：201410368289.2
专利申请日：2014.07.30
公开（公告）日：2014.10.22
申请（专利权）人：新奥光伏能源有限公司
发明（设计）人：田小让;王进;谷士斌;张林;杨荣;李立伟;孟原;郭铁
国别省市：河北;13