一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法 CN201410303370.2

本发明涉及一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒、热扩散制p-n结、去磷硅玻璃、制备ITO电极、背面印刷Al背场和Ag电极、正面印刷Ag主栅线。通过磁控溅射制备双层结构ITO电极，在沉积ITO复合导电薄膜和ITO薄膜并退火结束后，在硅片背面印刷Al背场和Ag电极，在硅片正面ITO薄膜上仅印刷Ag主栅线而无需印刷Ag副栅线。ITO电极透光率和电导率高且钝化效果好，串联电阻小，电池转换效率可提高0.1%~0.2%；减少了Ag浆料的用量，降低了电池的生产成本。
专利类型：发明
专利号：201410303370.2
专利申请日：2014.06.30
公开（公告）日：2014.10.15
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
发明（设计）人：石强;金浩;蒋方丹;陈康平;郭俊华;姚军晔
国别省市：浙江;33