湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及其制造方法 CN201310081791.0

本发明公开了一种湿法刻蚀工艺、设备和太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能技术领域，可解决现有湿法刻蚀工艺中存在的刻蚀黑线和方阻上升问题，在实现磷硅玻璃层与背结去除的同时，还可实现背面抛光的目的，从而提高太阳能电池的转化效率。本发明所述湿法刻蚀工艺，包括：使用第一腐蚀液对太阳能电池片的下表面及侧面进行腐蚀，以去除所述太阳能电池片下表面及侧面的磷硅玻璃层，所述第一腐蚀液为氢氟酸溶液；使用碱液对所述太阳能电池片下表面进行腐蚀，以去除所述太阳能电池片下表面的PN结，同时实现太阳能电池片下表面的抛光效果；使用含有氢氟酸的第二腐蚀液对所述太阳能电池片进行腐蚀，以去除太阳能电池片上表面的磷硅玻璃层。
专利类型：发明
专利号：201310081791.0
专利申请日：2013.03.14
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
发明（设计）人：吴鑫
国别省市：北京;11