一种磁控溅射CdTe多晶薄膜太阳能电池的制备方法 CN201310053822.1
本发明提供一种磁控溅射CdTe多晶薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：在基底的透明导电多晶薄膜上生长CdS多晶薄膜，停止加热，然后在真空条件下对生长完成后的CdS多晶薄膜进行降温、再升温或者加热保持、或再升温降温的过程，多晶薄膜多晶薄膜再在所制备的CdS多晶薄膜上溅射CdTe多晶薄膜。之后在CdCl2气氛中对所制备的CdS多晶薄膜和CdTe多晶薄膜进行退火处理；最后在经退火处理后的CdTe多晶薄膜上蒸镀导电背电极。
专利类型：发明
专利号：
201310053822.1专利申请日：
2013.02.19公开（公告）日：
2014.08.13申请（专利权）人：
china科学院电工研究所发明（设计）人：
李辉;刘向鑫国别省市：
北京;11
