N型太阳能电池的制备方法及其高低结的制备方法 CN201410163858.X

本发明公开了一种N型太阳能电池的制备方法及其高低结的制备方法。该N型太阳能电池的高低结的制备方法包括：建立P型硅片的方块电阻与N型硅片的表面磷扩散浓度之间的关系模型；根据所欲制备的N型硅片表面磷扩散浓度，对照关系模型，找到相应P型硅片的方块电阻的预设值；按以下步骤对N型硅片进行磷扩散处理：A1将N型硅片与P型硅片在相同条件下进行磷扩散处理；A2对经磷扩散处理后的P型硅片进行测试，获取P型硅片的方块电阻；A3对比经磷扩散处理后的P型硅片的方块电阻与预设值，若大于预设值，则重复步骤A1和A2至两者之间差值的绝对值小于预设差值为止。该方法既能降低测试的难度和成本，又能监控N型硅片生产中高低结的优劣。
专利类型：发明
专利号：201410163858.X
专利申请日：2014.04.22
公开（公告）日：2014.07.23
申请（专利权）人：英利集团有限公司
发明（设计）人：王英超;胡志岩;李高非;史金超
国别省市：河北;13