对硅片表面进行制绒的方法、硅片以及太阳能电池 CN201310011065.1
本发明公开了一种对硅片表面进行制绒的方法、硅片以及太阳能电池。其中，对硅片表面进行制绒的方法包括：在硅片的上表面和下表面之一形成掩膜，以便获得具有掩膜的硅片；以及将具有掩膜的硅片浸入制绒液中，保持预定的时间，其中，制绒液与硅和掩膜均可以发生反应，以便在硅片的上表面和下表面均形成绒面。利用该方法可以有效地在硅片的上表面和下表面均形成绒面。
专利类型：发明
专利号：
201310011065.1专利申请日：
2013.01.11公开（公告）日：
2014.07.16申请（专利权）人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司发明（设计）人：
吴鑫国别省市：
北京;11
