中空纳米立方NiCo2O4双金属氧化物材料及制备方法 CN201410169966.8
中空纳米立方NiCo2O4双金属氧化物材料及制备方法，属于冶金粉末材料及制备。本发明材料为直径500nm的中空纳米十字形立方体，可逆容量最高为1160mAh/g，循环100次≥1060mAh/g，比容量保持在84％，性能稳定。制备是以溶解于高纯水和乙醇的PVP溶液为溶剂，NiCl2·6H2O，CoCl2·6H2O为金属源，在适宜温度下利用S2O32+选择性侵蚀自制的Cu2O纳米立方模板，最终生成中空纳米立方结构NiCo2O4双金属氧化物。该制备工艺简单、成本低、具有工业化前景。
专利类型：发明
专利号：
201410169966.8专利申请日：
2014.04.25公开（公告）日：
2014.07.16申请（专利权）人：
云南大学发明（设计）人：
郭洪;刘丽香;王亚朋;杨项军;王世雄;陈景国别省市：
云南;53
