一种含钠钼膜及其制备方法和应用 CN201410123303.2

本发明公开了一种含钠钼膜及其制备方法和应用，该含钠钼膜从上至下依次包括10nm-1um厚的第一纯钼层、10nm-1um厚的含钠钼层、100nm-2um厚的第二纯钼层和基底，其中含钠钼层的Na含量1-20%[at]，Mo含量80-99%[at]，第一纯钼层和第二纯钼层的钼含量均为99.9-99.9999%[at]。与现有技术相比，本发明含钠钼膜在粘附性、导电性等方面符合铜铟镓硒薄膜太阳能电池的要求，可以用于制备优质的铜铟镓硒薄膜太阳能电池；本发明可以制备含有适量钠元素的掺钠钼膜，保证钠元素的掺入量对铜铟镓硒太阳能电池的效率的正面影响相对最大化；本发明制备的含钠钼膜适用范围广，可基于玻璃、PI、不锈钢或陶瓷等铜铟镓硒薄膜太阳能电池常用基底进行制备。
专利类型：发明
专利号：201410123303.2
专利申请日：2014.03.28
公开（公告）日：2014.06.18
申请（专利权）人：厦门大学
发明（设计）人：张风燕;张然;陈文志;吴洁阳
国别省市：福建;35