一种硅基薄膜太阳能电池及其制备方法 CN201210552908.4
本发明涉及一种硅基薄膜太阳能电池及其制备方法，具体涉及一种具有复合掺杂层结构的硅基薄膜太阳能电池及其制备方法。所述硅基薄膜太阳能电池具有结构为Si/SiOx/Si的复合掺杂层结构。一方面，Si/SiOx/Si复合掺杂层结构有效利用了SiOx掺杂层光学带隙宽、透光性能好和反射系数低等优势，上下两层Si层的应用极大程度地补偿了SiOx导电率低的弊端，从而有效缓解了SiOx掺杂层的光学特性和电学特性之间的矛盾；另一方面，中间层SiOx层同时起到了反射层的作用，从而可以在不改变其他参数和不恶化电池衰减性能的前提下提高电池的短路电流。
专利类型：发明
专利号：
201210552908.4专利申请日：
22012.12.18公开（公告）日：
2014.06.18申请（专利权）人：
北京汉能创昱科技有限公司发明（设计）人：
郁操;张庆钊;丁建国别省市：
北京;11
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