一种抗PID晶体硅太阳能电池制作方法 CN201410134437.4

一种抗PID晶体硅太阳能电池的制作方法，该制作方法是通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间制作一层氧化硅层。由于臭氧的氧化能力极强，能够在硅基底表面迅速的生成一层致密氧化硅层。该氧化硅层，能够在非常薄的情况下，满足抗PID的需求，因而避免了现有技术中，由于氧化硅层过厚带来造成的减反效果降低的问题，使得本发明的太阳能电池产品完美的解决了抗PID和光利用率的矛盾问题。该薄膜具有出色的表面钝化效果，相比单一的氮化硅薄膜，其制作的电池可以获得额外的2～3mV开压的提升。本发明所涉及的制作方案工艺简单、成膜速度快，且自动控制膜厚，大大提高了整个工艺的实用性，为大规模工业化生产提供了有效的途径。
专利类型：发明
专利号：201410134437.4
专利申请日：2014.04.03
公开（公告）日：2014.06.18
申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明（设计）人：万松博;王栩生;章灵军
国别省市：江苏;32